Descrizione del prodotto
Il varistore è la memoria del parascintille, che la componente principale è l'ossido di zinco e con una piccola quantità di ossido del bismuto, Silicon.Oxide,
cobalt.oxide, ossido del fluoruro di nickel.oxide, carbonato manganoso, ossido dell'antimonio e l'altro baleno dell'additivo e fatti con temperatura elevata.
La microstruttura del varistore pricipalmente costituisce dello strato del grano dell'ossido di zinco, di limite del grano e della fase di Chienshih. Ard il suo elettrico
le bugie di principio di conduzione che il grano dell'ossido di zinco ha buona elettro conduttività e la tensione all'ossido di zinco è quasi atto su alto resistente
strato di limite del grano. La non linearità del varistore pricipalmente viene a partire dalla fase boundar di Chienshih di strato del grano (l'ingrediente principale è l'ossido del bismuto)
sparso durante lo strato di limite del grano che è l'ossido multiplo dell'ossido di zinco e dell'ossido del bismuto. La sua funzione si trova nella repressione
crescita del grano dell'ossido di zinco per fare migliore non linearità
Tipo | Dimensione millimetro | D.C.U 1mA tensione chilovolt | Perdita corrente μA | tensione del residuo 5kA rapporto U5kA/ U1mA | Withstand corrente A di impulso | Non lineare ocefficient 10μA~1mA | Prova di invecchiamento 115ºC, 1000h | ||
Diamete | Alto | 2ms rettangolare | corrente 4/10μsHigh | ||||||
D3-1 | 28±1 | 24±0.5 | 4.8~5.7 | 7 | 1.80 | 100 | ≥40 | 23 | Chargeability85% Kct≤1.2 |
D3-2 | 31±1 | 24±0.5 | 4.8~5.7 | 7 | 1.79 | 120 | ≥50 | 22 | |
D3-3 | 35±1 | 24±0.5 | 4.8~5.7 | 7 | 1.75 | 150 | 65 | 22 | |
I nostri prodotti hanno essere in servizio delle reti elettriche di più più di 20 paesi da 2005.
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